วารสารวิชาการเทคโนโลยีอุตสาหกรรม (J. Ind. Tech.) อยู่ในฐานข้อมูล Thai-Journal Citation Index Centre (TCI) กลุ่ม 1 (2564 - 2567) และ Asean Citation Index (ACI) มีค่า JIF = 0.094 และ T-JIF (3 ปีย้อนหลัง): 0.165 | The Journal of Industrial Technology (J. Ind. Tech.) is indexed in Thai-Journal Citation Index Centre (TCI) Tier 1 (2021 - 2024) and Asean Citation Index (ACI) with impact factor, T-JIF: 0.094 and 3-years T-JIF: 0.165

การออกแบบวงจรบวกทางเวกเตอร์แบบแอนาลอกด้วยมอสเฟท
ประเภทบทความ : บทความวิชาการ
หมวดหมู่ : วิศวกรรมไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์
บทความนี้นำเสนอวงจรบวกแรงดันทางเวกเตอร์โดยใช้ซีมอส ซึ่งจะอาศัยกฎกำลังสองของ มอสทรานซิสเตอร์ โครงสร้างของวงจรจะประกอบด้วยสองส่วนหลัก คือ วงจรกำลังสองและวงจรถอดรากที่สอง ซึ่งวงจรกำลังสองจะอาศัยคุณสมบัติของมอสทรานซิสเตอร์ที่มีการทำงานในช่วงอิ่มตัว และวงจรถอดรากที่สองจะ อาศัยคุณสมบัติการทำงานของมอสทรานซิสเตอร์ในช่วงไม่อิ่มตัวเป็นพื้นฐานในการออกแบบ วงจรถูกออกแบบให้ มีการทำงานในโหมดแรงดันซึ่งจะใช้แหล่งจ่ายแรงดันเพียง ±1.5 โวลต์ ผลการเลียนแบบการทำงานจะถูกแสดงโดย ใช้โปรแกรม PSpice และใช้ CMOS เทคโนโลยี 0.5 ไมครอน LEVEL 3 ของ MOSIS
วันที่ลง01/07/2019 428

บทความใกล้เคียง

รับข่าวสารจากเรา

รับข่าวสารจากทางเรา ท่านจะสามารถเข้าถึงข่าวสารได้ก่อนใคร แค่เพียงใส่อีเมลของคุณ