บทคัดย่อ
บทความนี้นำเสนอการออกแบบวงจรคูณสัญญาณแรงดันแบบซีมอสโดยใช้เทคนิคกำลังสอง การทำงานของวงจรจะอาศัยคุณสมบัติของ MOSFET ชนิดเอ็น (NMOS) และชนิดพี (PMOS) ที่มีการทำงานในช่วงอิ่มตัวเป็นพื้นฐานในการออกแบบ ซึ่งมีความสัมพันธ์ระหว่างกระแสและแรงดันเป็นไปตามกฎกำลังสอง โดยที่วงจรจะมีการทำงานในโหมดของแรงดันและสามารถทำงานได้โดยใช้แหล่งจ่ายไฟเลี้ยงต่ำเพียง ±1.2V วงจรมีค่าความสูญเสียรวมเท่ากับ 0.62 mW. ผลการเลียนแบบการทำงานสามารถยืนยันสมรรถนะของวงจรได้โดยใช้โปรแกรม PSpice
คำสำคัญ : ซีมอส, โหมดแรงดัน, การทำงานช่วงอิ่มตัว, กำลังสอง
